Modification of transition's factor in the compact surface-potential-based MOSFET model
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Surface-Potential-Based Compact Model for Quantum Effects in Planar and Double-Gate MOSFET
The surface-potential-based compact model for quantum effects in planar and doublegate MOSFETs is developed. The surface-potentials at source and drain sides are calculated with the effective field approximation and the quantum charge epxression. The drain current is calculated with the drift-diffusion model and quantum correction of the lateral field. One set of equations is used for both plan...
متن کاملAdvanced Compact MOSFET Model HiSIM2 Based on Surface Potentials with a Minimum Number of Approximation
The compact MOSFET-model development trend leads to models based on the channel surface potential, allowing higher accuracy and a reduced number of model parameters. Among these only HiSIM solves the surface potentials with an efficient, physically correct iteration procedure, avoiding additional approximations without any computer run-time penalty. It is further demonstrated that excellent mod...
متن کاملfactor influencing the adoption of internet banking
دوره مشترک کارشناسی ارشد بازاریابی و تجارت الکترونیک دانشگاه تربیت مدرس_ دانشگاه تکنولوژی lule? چکیده پایان نامه عوامل موثر بر پذیرش اینترنت بانک توسط مشتریان پیشرفت فناوری اطلاعات و ارتباطات و به طور خاص رشد اینترنت جهت تراکنش های معاملات بازرگانی، تاثیر بسیار عمیقی در صنعت بانکداری داشته است.این در حالی ست که نفوذ بانکداری اینترنتی در کشورهای در حال توسعه بسیار کندتر از نفوذ آن ...
15 صفحه اولthe study of bright and surface discrete cavity solitons dynamics in saturable nonlinear media
امروزه سالیتون ها بعنوان امواج جایگزیده ای که تحت شرایط خاص بدون تغییر شکل در محیط منتشر می-شوند، زمینه مطالعات گسترده ای در حوزه اپتیک غیرخطی هستند. در این راستا توجه به پدیده پراش گسسته، که بعنوان عامل پهن شدگی باریکه نوری در آرایه ای از موجبرهای جفت شده، ظاهر می گردد، ضروری است، زیرا سالیتون های گسسته از خنثی شدن پراش گسسته در این سیستم ها بوسیله عوامل غیرخطی بوجود می آیند. گسستگی سیستم عامل...
An Explicit Surface-Potential Based Biaxial Strained-Si n-MOSFET Model for Circuit Simulation
In this paper, a charge sheet surface potential based model for strained-Si nMOSFETs is presented and validated with numerical simulation. The model considers sub band splitting in the 2-DEG at the top heterointerface in SiGe layer and also the dependence of electron concentration at heterointerface with the gate oxide. The model is scalable with strained-Si material parameters with physically ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: The University Thought - Publication in Natural Sciences
سال: 2016
ISSN: 1450-7226,2560-3094
DOI: 10.5937/univtho6-11360